24.08.2002
Киви Берд

На рынке магнитных запоминающих устройств - очередной технологический прорыв: скоро в продаже появятся терабайтные запоминающие устройства: дисковые и твердотельные, на основе двух новых технологий, сводящих размеры магнитных зерен до масштабов, сравнимых с размером молекул.

Разработчики консорциума компаний IBM и General Electric добились кардинального повышения плотности записи на диски благодаря технологии, названной «структурированной средой» (patterned media). В нынешних дисках для хранения 1 бита информации нужно несколько сотен магнитных микрокристаллов, а если их делать меньше или упаковывать плотнее, они начинают терять магнитную ориентацию. В «структурированной среде» магнитные зерна, располагаясь на микроскопических «островках», физически разделены. Благодаря этому для хранения бита достаточно всего одного зерна, а островки можно упаковывать очень плотно. Исходную концепцию новой технологии продемонстрировали в IBM, где «островки» создавали в магнитном сплаве с помощью потока ионов. А в General Electric разработали метод массового производства, создав полимер, который можно штамповать в виде регулярной решетки из столбиков - крошечных «пьедесталов» высотой 5 нм и площадью 50 кв. нм. Эту основу покрывают тонким слоем магнитного сплава, и уже в первых экспериментах с памятью на такой «структурированной среде» удалось добиться плотности записи 30-40 гигабит на кв. см. Сейчас видны пути дальнейшего увеличения плотности до 150 гигабит и более, то есть на жесткий диск ноутбука войдет более терабайта информации. Прототип такого устройства разработчики намерены представить в 2004 году.

На тот же 2004 год намечена и премьера новой технологии твердотельной памяти NanoMem. Правда, продвигающая ее калифорнийская компания-стартап Rolltronics к тому времени планирует начать продажи флэш-карт и съемных модулей памяти не только с небывалой на сегодня емкостью, но и низкой ценой, сравнимой, скорее, с ценой на жесткие диски. В Rolltronics уже несколько лет осваивают необычный метод изготовления различных полупроводниковых компонент с помощью производственного процесса «с вала на вал», более характерного для типографий или химкомбинатов, когда непрерывная лента несущего материала обрабатывается при перематывании с бобины на бобину. Такой метод позволяет флэш-памяти формироваться в процессе самосбора молекул, укладывающихся на медленно перематываемой тонкой пленке в массивы нанометровых микроцилиндров. Прототипы запоминающих устройств на основе флэш-памяти новой конструкции продемонстрировали надежное хранение информации в течение 7 тысяч часов без энергопитания и сохранение работоспособности после 1,5 миллиарда циклов записи/считывания. Ожидается, что флэш-карта NanoMem стандартного формата PC Card будет хранить 64 гигабайта данных, а модуль MemoryCube размером с нынешний 3.5-дюймовый винчестер будет вмещать около 5 терабайт.